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AN1A4Z


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1A4Z ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AN1A4Z
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AN1A4Z Datenblatt (jpg):-
AN1A4Z Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AA1A4Z
Ähnliche Typen:DTA114TS, [mehr]
DTA114TS,RN2011,UN4115,2SA1497
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AN1A4Z


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1A4Z ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
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Komplementär Typ:AA1A4Z
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DTA114TS,RN2011,UN4115,2SA1497
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AN1A4Z


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1A4Z ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
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Komplementär Typ:AA1A4Z
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DTA114TS,RN2011,UN4115,2SA1497
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

RN2011


SI PNP Transistor
ähnlich AN1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 200MHz
TJ -
der RN2011 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: RN2011
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-92
RN2011 Datenblatt (jpg):-
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Komplementär Typ:-
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RN2011


SI PNP Transistor
ähnlich AN1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 200MHz
TJ -
der RN2011 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: RN2011
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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RN2011


SI PNP Transistor
ähnlich AN1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 200MHz
TJ -
der RN2011 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: RN2011
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-92
RN2011 Datenblatt (jpg):-
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

UN4115


SI PNP Transistor
ähnlich AN1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4115 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4115
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN4115 Datenblatt (jpg):-
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UN4115


SI PNP Transistor
ähnlich AN1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4115 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 10kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: UN4115
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
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Komplementär Typ:-
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UN4115


SI PNP Transistor
ähnlich AN1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4115 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4115
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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UN4115 Datenblatt (jpg):-
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

2SA1497


SI PNP Transistor
ähnlich AN1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
der 2SA1497 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SA1497
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
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2SA1497 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SC3860
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AN1A4Z,DTA114TS,RN2011,UN4115
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2SA1497


SI PNP Transistor
ähnlich AN1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
der 2SA1497 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SA1497
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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Komplementär Typ:2SC3860
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AN1A4Z,DTA114TS,RN2011,UN4115
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2SA1497


SI PNP Transistor
ähnlich AN1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
der 2SA1497 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SA1497
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
2SA1497 Datenblatt (jpg):-
2SA1497 Datenblatt (pdf):-
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Komplementär Typ:2SC3860
Ähnliche Typen:AN1A4Z, [mehr]
AN1A4Z,DTA114TS,RN2011,UN4115
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